| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| CMLDM5757-TR | Central Semiconductor | MOSFET Small Signal Mosfet Dual P Channel | 下载 |
| CMLDM5757 TR | Central Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 | 下载 |
| CMLDM5757TR | Central Semiconductor | Transistor | 下载 |
| CMLDM5757TRLEADFREE | Central Semiconductor | Transistor | 下载 |
| CMLDM5757TRTIN/LEAD | Central Semiconductor | Transistor | 下载 |
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 430mA |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 900 毫欧 @ 430mA,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.2nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 175pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
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